一种抑制漏磁的磁芯结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种抑制漏磁的磁芯结构，一种抑制漏磁的磁芯结构，包括由磁性材料构成的环形芯部，所述环形芯部的全部或部分外侧面覆盖一层由良导体材料构成的良导体层，所述环形芯部及良导体层的整个外周部覆盖一层由绝缘材料构成的绝缘材料层。该磁芯结构有利于抑制磁场泄漏。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制漏磁的磁芯结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123183242.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216597173U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
陈为陈凌锋
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
张灯灿
优先权 ：
CN202123183242.3
主分类号 ：
H01F3/10
IPC分类号 ：
H01F3/10 H01F27/34 H01F27/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F3/00
磁芯，磁轭或衔铁
H01F3/10
磁路的复合配置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
