电压平移电路和检测电路
授权
摘要
本实用新型提供电压平移电路和检测电路，所述平移电路包括：第一电流源、第二电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；所述第一PMOS管的栅极与差分信号的第一输入端相连，所述第一PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的源极与所述第三PMOS管的漏极相连，所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极相连；所述第二PMOS管的栅极与差分信号的第二输入端相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第二PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极相连，所述第四PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的漏极相连；解决了现有技术中的电压平移电路存在较大增益误差的问题，不仅提高了平移精度，还保证了电路的抗干扰性。
基本信息
专利标题 ：
电压平移电路和检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123218551.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
CN216437171U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
孙鹏苗小雨杨勇柳泽宇
申请人 ：
四川中微芯成科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区吉庆三路333号1栋3单元22楼2201号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄妍
优先权 ：
CN202123218551.X
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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