低通滤波结构及滤波器
授权
摘要
本申请涉及通信技术领域，提供一种低通滤波结构及滤波器，低通滤波结构包括：高阻抗段；低阻抗段，低阻抗段连接于高阻抗段；电容加载部，电容加载部位于低阻抗段的外围，且电容加载部与低阻抗段之间形成有间隙；以及导体连接部，导体连接部连接于低阻抗段与电容加载部。本申请提供的低通滤波结构，电容加载部与低阻抗段之间可形成电容效应，可使采用本申请提供的低通滤波结构的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生传输零点，且无需另外提高低通滤波结构的阶数，从而可在不提高低通滤波结构的阶数的情况下实现较好的高频抑制能力。
基本信息
专利标题 ：
低通滤波结构及滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123234946.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
CN216488434U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
韦立言
申请人 ：
大富科技（安徽）股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市高新区燕南路17号国家金融孵化产业园4号楼
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚泽鑫
优先权 ：
CN202123234946.9
主分类号 ：
H01P1/207
IPC分类号 ：
H01P1/207
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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