一种双面边缘遮挡托盘组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种双面边缘遮挡托盘组件，包括：托盘上盖以及与所述托盘上盖对应的底托，托盘上盖设置在硅片正面，对硅片正面边缘进行遮挡，所述底托设置在所述硅片背面，对所述硅片背面边缘进行遮挡；所述底托正面中间位置开设有凹槽，所述凹槽中间位置镂空，且所述凹槽的镂空边缘设有底托斜坡，用于放置硅片；所述上盖正面中间位置镂空，且所述上盖的镂空边缘位置设有与所述底托斜坡倾斜角度一致的上盖斜坡，所述上盖背面与所述底托正面相配合形成放置硅片的空间，本实用新型采用双面遮挡，适用自动双面镀膜，无需翻片，提高生产效率，并且正反两面小角度斜坡的抗扰射效果明显，镀膜均匀性更好，选择轻材质金属，便于后续自动化实施。
基本信息
专利标题 ：
一种双面边缘遮挡托盘组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123378811.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216671580U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
韩广龙马世猛代智杰
申请人 ：
苏州昶明微电子科技合伙企业（有限合伙）
申请人地址 ：
中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星明街288号星明大厦235室
代理机构 ：
北京子焱知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯若愚
优先权 ：
CN202123378811.X
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L31/0224 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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