太阳能电池正面钝化膜层
授权
摘要
本实用新型提供了太阳能电池正面钝化膜层，所述太阳能电池正面钝化膜层包括硅基底，所述硅基底的表面依次层叠有第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层，所述第一氮化硅层、第二氮化硅层和氮氧化硅层的折射率逐级降低；所述氮氧化硅层的厚度为40～60nm。本实用新型提供的太阳能电池正面钝化膜层，在氮氧化硅膜层厚度较大的情况下，不仅能够保证优异的钝化效果，还可以降低太阳能电池正面钝化膜层反射率，从而降低电池和组件的光学反射率。此外，采用本实用新型中的太阳能电池正面钝化膜层制备得到的电池和组件颜色更深且更加均匀，吸收阳光的效率更高，从而电池和组件的效率及功率更高。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池正面钝化膜层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123386649.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216624291U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
左景武陆玉刚常永胜卓启东张岩焱赫权贵陈红李汉诚
申请人 ：
天合光能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
边人洲
优先权 ：
CN202123386649.6
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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