微发光二极管及制备方法和显示面板
实质审查的生效
摘要
本发明公开微发光二极管及制备方法和显示面板，所述微发光二极管包括半导体外延叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层；第一电极和第二电极，分别与所述第一类型半导体层和第二类型半导体层形成电连接；其特征在于：所述第二类型半导体层包括n型磷化镓窗口层，所述n型磷化镓窗口层起到电流扩展作用。本发明可解决微发光二极管在小电流密度下发光效率低的问题，提升微发光二极管在小电流密度下的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管及制备方法和显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114287065A
申请号 ：
CN202180004916.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈劲华许智程王彦钦黄少华彭钰仁郭桓邵
申请人 ：
天津三安光电有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202180004916.2
主分类号 ：
H01L33/30
IPC分类号 ：
H01L33/30 H01L33/40 H01L27/15 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/30
申请日 : 20210820
申请日 : 20210820
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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