发光二极管及制备方法和显示面板
实质审查的生效
摘要
本发明公开发光二极管及制备方法和显示面板，所述发光二极管包括半导体外延叠层，包含相对的第一表面和第二表面，包含第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，以及位于所述第二半导体层和第三半导体层之间的有源层；其特征在于：所述第一半导体层包括第一子层和第二子层，其中第一子层提供第一表面，第一表面为粗化的表面，第二子层相对第一子层更靠近第二表面，所述第一子层和第二子层具有包含Al的化合物半导体材料，并且第一子层的Al组分的含量低于所述第二子层的Al组分的含量。本发明可提升发光二极管的出光面的粗糙度，提升发光二极管的出光效率，同时可防止粗化过程中半导体外延叠层的过蚀刻现象的发生，提升发光二极管的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及制备方法和显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342094A
申请号 ：
CN202180005020.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王彦钦陈劲华郭桓邵彭钰仁黄少华
申请人 ：
厦门市三安光电科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202180005020.6
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/24 H01L33/30 H01L27/15
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/22
申请日 : 20211122
申请日 : 20211122
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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