本公开内容的方面提供了用于确定晶圆平坦度和用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：存储在光刻工艺期间沿着平行于第一晶圆的工作表面的第一方向收集的第一晶圆的第一晶圆膨胀。光刻工艺用于在第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化。在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前，使用被配置为预测晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在光刻工艺期间收集的第一晶圆膨胀来确定第一晶圆的晶圆平坦度。在示例中，在第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。