一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件。该制备方法包括:在基底上制备获得由多个间隔开布置的微沟道组成的微沟道阵列;加热基底;将钙钛矿前驱体溶液施加到微沟道阵列中;在施加有钙钛矿前驱体溶液的基底上贴附软体刀片,并使软体刀片的底面至少能够完全覆盖微沟道阵列;控制软体刀片以预设速度从微沟道阵列的一端朝向另一端移动,以逐渐暴露出微沟道阵列,从而使得微沟道阵列内的钙钛矿前驱体溶液在软体刀片的头部结晶,并在微沟道阵列完全暴露出时结晶形成钙钛矿单晶阵列。本发明方案可以制备出大面积的钙钛矿单晶,并且可以根据需要设计微沟道阵列中微沟道的深度,进而可以控制该钙钛矿单晶的厚度。
基本信息
专利标题 :
一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318492A
申请号 :
CN202210002574.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张秀娟邓巍揭建胜孙玉叶
申请人 :
苏州大学
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区仁爱路199号苏州大学独墅湖校区909楼3303
代理机构 :
北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵燕燕
优先权 :
CN202210002574.7
主分类号 :
C30B7/02
IPC分类号 :
C30B7/02 C30B29/54 H01L51/46
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
C30B7/02
溶剂蒸发法
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 7/02
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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