一种输出电容为任意大小的LDO
实质审查的生效
摘要
本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说是涉及一种输出电容为任意大小的LDO。现有的LDO的片外大电容增加了成本，而本发明的capless LDO通过芯片内部的环路补偿实现了无片外大电容的LDO，保证了在外部电容很小或者没有时，LDO的环路稳定性，减小了成本；同时，当外部有大电容(uF级)时，也能保证良好的稳定性，也就实现了无论外部电容多大，都能保证输出电压稳定的LDO；另外本发明的电路通过不同的环路反馈，得到了瞬态响应较好的LDO，扩展了capless LDO在芯片上的使用。
基本信息
专利标题 ：
一种输出电容为任意大小的LDO
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114326905A
申请号 ：
CN202210002862.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
耿翔
申请人 ：
上海南芯半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区晨晖路1000号214室
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210002862.2
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 1/56
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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