制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物、光刻胶用顶部抗反射膜和...
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摘要

本发明涉及先进光学材料技术领域,特别涉及一种制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物、光刻胶用顶部抗反射膜和含氟组合物。制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物,包括:含氟组合物、碱、酸、表面活性剂。含氟组合物包含含氟聚合物;含氟组合物包括分别包含n=1,2,3,4和≥5个含氟聚醚基团的含氟聚合物,上述含氟聚合物的含量分别为0‑10wt%、30wt‑68wt%、32wt‑60wt%、0‑15wt%和0‑8wt%;含氟组合物在制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物中的含量为1wt‑15wt%。抗反射膜能够避免光散射和驻波效应,同时组合物与光刻胶的pH匹配良好,改善了膜表面孔洞和均匀性及涂覆后中心点和边缘厚度差异较大的问题,提高光刻工艺的良品率。

基本信息
专利标题 :
制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物、光刻胶用顶部抗反射膜和含氟组合物
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114035405A
申请号 :
CN202210011889.8
公开(公告)日 :
2022-02-11
申请日 :
2022-01-07
授权号 :
CN114035405B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
李永斌
申请人 :
甘肃华隆芯材料科技有限公司
申请人地址 :
甘肃省白银市白银区兰包路333号(08)5幢1-01(孵化器基地)科研一号楼306室
代理机构 :
北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
汪勇
优先权 :
CN202210011889.8
主分类号 :
G03F7/004
IPC分类号 :
G03F7/004  G03F7/09  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
法律状态
2022-04-22 :
授权
2022-03-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/004
申请日 : 20220107
2022-02-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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