一种绝热模式演化器的设计方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种绝热模式演化器的设计方法,先确定其中一个脊波导结构的顶层硅宽wR,然后找另一个脊波导结构的顶层硅宽wL的最佳值,具体通过依次改变wL的值,计算最小反射率,并找到准确的wL值。绝热模式演化器在垂直方向上分成顶层硅宽度变化部分和中部硅宽度变化部分,在水平方向上,对于顶层硅宽度变化部分Δw,初始波导宽度与最终波导宽度通过长度为L的直线相演化;对于中部硅宽度变化部分ΔW,初始波导宽度与最终波导宽度通过长度为L的直线相演化。通过本方法设计得到的器件更为紧凑,其结构简单、尺寸小、带宽大。这种紧凑的绝热模式演化器构成了光子集成电路的关键组件。

基本信息
专利标题 :
一种绝热模式演化器的设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114326101A
申请号 :
CN202210020009.3
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
梁图禄荣巍巍郁梅
申请人 :
南通大学
申请人地址 :
江苏省南通市崇川区啬园路9号
代理机构 :
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
吴旭
优先权 :
CN202210020009.3
主分类号 :
G02B27/00
IPC分类号 :
G02B27/00  G02B6/122  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B27/00
不能分入G02B 1/00-G02B 26/00,G02B 30/00的其它光学系统或其它光学仪器
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 27/00
申请日 : 20220110
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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