解决外延片碎片问题的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种解决外延片碎片问题的方法，提供衬底，衬底上形成有外延片结构；在衬底上淀积形成覆盖外延片结构的氧化层；利用光刻和刻蚀对氧化层的最外侧部分去除，使得外延片结构最外侧裸露，其去除的宽度为第一宽度；对外延片结构进行干法刻蚀，去除裸露的外延片结构。本发明通过在氮化镓外延层器件制作前，对氮化镓外延层晶圆周边进行边缘清洁处理，以减少氮化镓外延层晶圆在高温作业中的碎片问题。
基本信息
专利标题 ：
解决外延片碎片问题的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429901A
申请号 ：
CN202210021102.6
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘嘉杨继业孙鹏张同博
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210021102.6
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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