集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，其特征是，包括以下步骤：a.原材料选择；b.原料抛光；c.压制成型；d.部件抛光：筒体、上封头和下封头在压制完成后，再次进行机械抛光，抛光后粗糙度≤Ra0.10；e.焊接成型：将筒体、上封头和下封头拼装在一起，然后对连接位置的环缝进行焊接，焊接时先采用自动脉充氩弧焊打底，然后采用自动脉充氩弧焊盖面，焊接过程需使用氩气保护焊接位置，对气瓶内外进行充氩保护，实现单面焊接双面成型；f.内壁研磨；g.内壁清洗；h.性能检测。本发明提供了一种集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法，可以满足试验压力大于6MPa的要求，且可满足充装超高纯及电子级气体的要求。
基本信息
专利标题 ：
集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114559212A
申请号 ：
CN202210022144.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谈益强杨孝欢施天翔薛剑魏英杰
申请人 ：
浙江陶特容器科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
邱顺富
优先权 ：
CN202210022144.1
主分类号 ：
B23P15/00
IPC分类号 ：
B23P15/00 B23K9/16
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23P
未包含在其他位置的金属加工；组合加工；万能机床
B23P15/00
制造特定金属物品，采用不包含在另一个单独的小类中或该小类的一个组中的加工
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
