一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。
基本信息
专利标题 ：
一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114409389A
申请号 ：
CN202210026261.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李恩竹吴裴杨鸿程钟朝位张树人孙成礼
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
闫树平
优先权 ：
CN202210026261.5
主分类号 ：
C04B35/16
IPC分类号 ：
C04B35/16 C04B35/622 C04B35/64
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/16
以黏土之外的硅酸盐为基料的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/16
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
