适用于真空与复杂电磁环境的空间真空传感器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了适用于真空与复杂电磁环境的空间真空传感器，包括适用于真空与复杂电磁环境的空间用真空传感器，所述适用于真空与复杂电磁环境的空间用真空传感器包括底座和MEMS压力传感器芯片，所述MEMS压力传感器芯片封装在柱塞接头处，所述MEMS压力传感器芯片与连接密封板采用灌封胶形成密封隔板，所述MEMS压力传感器芯片焊接在传感器基板上。本发明中，本申请的目的在于克服地面环境模拟试验中航天器表面、内部真空度测量的工作时间短、容易受污染、测量复杂等问题，提供一种可在宇宙空间环境和航天器热真空试验等空间环境模拟试验中应用的真空传感器，提高航天器表面真空度测量的工作时长、简化真空度测量防护装置。
基本信息
专利标题 ：
适用于真空与复杂电磁环境的空间真空传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114383771A
申请号 ：
CN202210036415.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史纪军窦仁超崔寓淏郭崇武任国华齐嘉东孙立臣孟冬辉孙立志李文斌张海峰齐飞飞袁翠平汪力刘恩均
申请人 ：
北京卫星环境工程研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区友谊路104号
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭栋梁
优先权 ：
CN202210036415.9
主分类号 ：
G01L21/00
IPC分类号 ：
G01L21/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L21/00
真空计
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 21/00
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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