一种叠瓦太阳能电池的扩散方法和叠瓦太阳能电池
实质审查的生效
摘要
本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种叠瓦太阳能电池的扩散方法和叠瓦太阳能电池。叠瓦太阳能电池的扩散方法包括：在硅片的电阻率大于或等于预设电阻率阈值的情况下，对磷沉积处理后的硅片进行第一预设次数的推进处理；在硅片的电阻率小于预设电阻率阈值的情况下，对磷沉积处理后的硅片进行第二预设次数的推进处理。如此，可以有针对性地提高硅片制成的叠瓦太阳能电池的PN结结深和击穿电压，提高叠瓦太阳能电池的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种叠瓦太阳能电池的扩散方法和叠瓦太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496747A
申请号 ：
CN202210036772.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庞瑞卿吕闯李吉时宝林纲正陈刚
申请人 ：
天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
天津市北辰区天津北辰经济技术开发区科技园高新大道73号
代理机构 ：
深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张红伟
优先权 ：
CN202210036772.5
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/223
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
