一种晶圆分段式流场清洗系统
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种晶圆分段式流场清洗系统,包括晶圆清洗槽、氮气加热装置、异丙醇加热装、混合装置及缓冲回流装置,所述氮气加热装置连接氮气输送管道,所述异丙醇加热装置连接异丙醇输送管道,所述晶圆清洗槽的顶部设置有上盖舱体,所述氮气输送管道、所述异丙醇输送管道与上盖舱体连通,所述混合装置用于混合异丙醇与氮气,所述混合装置与所述缓冲回流装置通过循环管路连通用于实现异丙醇的供应回流与输出,所述晶圆清洗槽的内部承载有晶圆,所述晶圆清洗槽的底部设置有液体排放口与气体排放口。本发明在混合装置内设置加热装置控制异丙醇与氮气混合物的浓度,进而提升干燥效率,增强了混合物的张力,保证了水分子能够有效的移除晶圆的表面。

基本信息
专利标题 :
一种晶圆分段式流场清洗系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496849A
申请号 :
CN202210038870.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
廖世保徐铭邓信甫
申请人 :
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;合肥至汇半导体应用技术有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 :
上海智力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
周涛
优先权 :
CN202210038870.2
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220113
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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