一种电阻-MOSFET调控的焊接电源电容快速充电方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种电阻‑MOSFET调控的焊接电源电容快速充电方法，包括：启动焊接电源，确定充电电阻R和电容临界电压U1；当焊接电源收到触发焊接信号后，通过电压检测电路对电容电压进行实时检测，并将电容电压经ADC采样后反馈给控制系统，比较电容电压和电容临界电压U1的关系，根据比较结果设计控制策略；根据所述控制策略对控制系统中的驱动电路进行控制，进而控制MOSFET晶体管Q1的开通和关断，实现电容充电模式的转换；本发明通过选择合理的电阻阻值，并设计控制策略控制MOSFET的开通和关断来加快电容充电速度，提高了充电效率，有效地降低了电阻热损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种电阻-MOSFET调控的焊接电源电容快速充电方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114448036A
申请号 ：
CN202210048458.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨凯王晓庆黄海松袁坪晖
申请人 ：
贵州大学;贵州熠辉智能科技有限公司
申请人地址 ：
贵州省贵阳市花溪区贵州大学
代理机构 ：
南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
沈鑫
优先权 ：
CN202210048458.9
主分类号 ：
H02J7/00
IPC分类号 ：
H02J7/00 B23K9/10
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02J 7/00
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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