本发明涉及多晶硅生产工艺技术领域，具体涉及一种氯化亚铜催化剂的预处理方法。本发明在管弹反应器中装入氯化亚铜和Si硅粉，通过真空环境增加了氯化亚铜的分压，使其由固相转变为气相，加快氯化亚铜的扩散速率，形成均匀分散的铜硅活性中心；从而加快氯化亚铜在硅粒子表面吸附、沉积和反应并减少由Cu烧结引起的失活。通过实施例证实，对氯化亚铜和Si硅粉进行预处理后进行四氯化硅冷氢化反应不仅可以缩短诱导期，提高四氯化硅催化效率，提高冷氢化的反应效率，还可以减少后系统中铜杂质的量。本发明所提供的方法对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对冷氢化反应效果促进明显。