一种二维氧化物原位钝化钙钛矿单晶表面的方法
公开
摘要
本发明提供了一种二维氧化物原位钝化钙钛矿单晶表面的方法。本发明钝化方法具体为：(1)在载体上生长钙钛矿单晶；(2)加热镓铟锡合金至液态，并加入改性金属改善液态合金特性，静置形成自限性薄氧化层；(3)将步骤(1)载有钙钛矿单晶的载体浸入步骤(2)的液态铟锡合金中，使得自限性薄氧化层覆盖所述钙钛矿单晶表面，完成二维氧化物原位钝化。本发明所述二维Ga2O3材料可以显著得减少钙钛矿晶体表面多晶化对其晶体质量造成的影响，并可对钙钛矿晶体起到明显的钝化作用，使得钙钛矿晶体表面缺陷密度降低，提高晶体的物理、电学、光学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种二维氧化物原位钝化钙钛矿单晶表面的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574974A
申请号 ：
CN202210056684.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱京涛屠洛涔陈溢祺吴朱超周新宇王添随
申请人 ：
科晶瑞思（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市太仓市娄东街道北京东路88号东B-1楼
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨慧林
优先权 ：
CN202210056684.1
主分类号 ：
C30B33/00
IPC分类号 ：
C30B33/00 C30B29/10 C30B29/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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