一种动态可重构的RAM读写方式
公开
摘要
本发明公开了一种动态可重构的RAM读写方式，在原始的顺序读写RAM的基础上，增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。通过寄存器设置能够实现RAM读写方式的改变，从而在硬件电路层面实现RAM读写方式的可重构。
基本信息
专利标题 ：
一种动态可重构的RAM读写方式
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300008A
申请号 ：
CN202210059238.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱珂王永胜林谦顾艳伍赵金萍储志博
申请人 ：
井芯微电子技术（天津）有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区经济技术开发区滨海-中关村科技园泉州道3号北塘建设发展大厦B座215室
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
安孔川
优先权 ：
CN202210059238.6
主分类号 ：
G11C7/22
IPC分类号 ：
G11C7/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/22
读写定时或计时电路；读写控制信号发生器或管理
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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