薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括:获取半导体衬底图像;对所述衬底图像进行全域网格化;对所述衬底图像进行边缘检测,得到衬底表面轮廓曲线,并得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率;针对每一个空间位点,根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度;根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元,每个空间位点对应一个决策单元;遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点,将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。相较于现有技术,本申请可以实现在任意衬底结构上的沉积速率准确拓展。

基本信息
专利标题 :
薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114549415A
申请号 :
CN202210061500.0
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邵花韦亚一陈睿李晨严琦
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
谷波
优先权 :
CN202210061500.0
主分类号 :
G06T7/00
IPC分类号 :
G06T7/00  G06T7/13  G06T5/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T7/00
图像分析
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 7/00
申请日 : 20220119
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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