一种自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法,自旋转移矩磁性随机存储器包括第一金属连接结构、底部电极、磁性隧道结、顶部电极及第二金属连接结构,底部电极呈U型形貌,位于第一金属连接结构上,且与第一金属连接结构电连接;磁性隧道结呈U型形貌覆盖底部电极的表面与底部电极电连接;顶部电极呈U型形貌覆盖磁性隧道结的表面与磁性隧道结电连接;第二金属连接结构位于顶部电极上与顶部电极电连接。本发明通过呈U型形貌的底部电极、磁性隧道结及顶部电极,可使得自旋转移矩磁性随机存储器在增强存储器件的记忆能力的同时,减小占地面积,以利于自旋转移矩磁性随机存储器的微缩。

基本信息
专利标题 :
一种自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497360A
申请号 :
CN202210073781.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘金营
申请人 :
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
卢炳琼
优先权 :
CN202210073781.1
主分类号 :
H01L43/08
IPC分类号 :
H01L43/08  H01L43/10  H01L43/12  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20220121
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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