一种具有暗电流自补偿功能的面入射光电二极管结构
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种具有暗电流自补偿功能的面入射光电二极管结构,包括:感光光电二极管以及补偿光电二极管;补偿光电二极管的光敏面设置阻光层,且感光光电二极管与补偿光电二极管的暗电流相等。本发明无需外电路运放的配合,在芯片层面上即可实现暗电流的自补偿功能;本发明同时具有感光光电二极管与补偿光电二极管,工作时,补偿光电二极管可以将感光光电二极管的暗电流补偿抵消掉,从而减小感光光电二极管暗电流带来的噪声;本发明的感光光电二极管与补偿光电二极管的偏压是单独进行控制的,不会受到限制,因此可应用于更多的使用场景中。

基本信息
专利标题 :
一种具有暗电流自补偿功能的面入射光电二极管结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497003A
申请号 :
CN202210074447.8
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
石彬祁帆蔡鹏飞
申请人 :
NANO科技(北京)有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210074447.8
主分类号 :
H01L25/04
IPC分类号 :
H01L25/04  H01L31/02  H01L31/0224  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/04
申请日 : 20220121
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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