改善晶圆面内厚度均一性的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善晶圆面内厚度均一性的方法，提供沉积机台和晶圆，将晶圆置于沉积机台内部的炉管；利用沉积机台在晶圆上形成生长层；在炉管中通入刻蚀气体，利用刻蚀气体刻蚀生长层；清除刻蚀气体以及刻蚀气体与生长层产生的副产物；多次在生长层上形成另一层生长层，重复执行向炉管通入刻蚀气体以及之后的清除刻蚀后产生的副产物，在晶圆上形成多层生长层。本发明通过在每层生长层形成的循环中通入刻蚀气体，缩小晶圆边缘至中间梯度性变薄趋势，进而改善晶圆面内厚度均一性。
基本信息
专利标题 ：
改善晶圆面内厚度均一性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496778A
申请号 ：
CN202210076913.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王银帅
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210076913.6
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/02 C23C16/34 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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