一种异形金属基底上的应变传感器芯片及其原位制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种异形金属基底上的应变传感器芯片及其原位制备方法,将异形金属构件作为金属基底,在金属基底的易变形部位上原位制备薄膜敏感栅,包括:设置于金属基底上的绝缘隔离层;设置于绝缘隔离层上的薄膜应变栅层;设置于薄膜应变栅层上方的绝缘保护层,绝缘保护层覆盖薄膜应变栅层的应变栅区域,同时露出薄膜应变栅层的引线电极;当异形金属构件发生变形时,薄膜应变栅层的电阻值会产生变化,通过薄膜应变栅层电阻值的变化能得到异形金属构件所受的物理量。本发明基于异形金属基底上原位制备,能够实现机械传动部件应变/扭矩的原位、无损伤测量,且省去了传统粘结剂的使用,在高湿、盐雾、霉菌等海洋环境和太空辐照等环境具有更高的可靠性。
基本信息
专利标题 :
一种异形金属基底上的应变传感器芯片及其原位制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114414123A
申请号 :
CN202210077772.X
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张丛春闫博杨伸勇吕振杰
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
徐红银
优先权 :
CN202210077772.X
主分类号 :
G01L5/1627
IPC分类号 :
G01L5/1627 G01L1/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L5/1627
应变计
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 5/1627
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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