一种陶瓷相硅氮层包覆硅负级材料、制备方法及其应用
实质审查的生效
摘要
一种陶瓷相硅氮层包覆硅负级材料、制备方法及其应用，包括：选用硅纳米颗粒或硅纳米或多孔硅颗粒等为原料，将原料浸泡在氢氟酸溶液中出去表面氧化硅，冷冻干燥处理；将硅样品置于气氛炉中，在含氮气氛下以一定升温速率加热后保温进行氮化处理，冷却至室温即可得到陶瓷相硅氮层包覆的硅负极复合材料。该硅氮层是由化学计量比Si3N4和非化学计量比SiNx复合而成，能解决硅导电性不足和固体电解质膜不稳定问题，同时Si3N4作为陶瓷相能够提供机械强度，缓解过度膨胀导致的结构粉化现象。另外，SiNx在嵌Li+后形成高导电和高锂离子传输的Li3N，因而硅氮层包覆硅负极材料表现出优异的储锂性能，在锂离子电池具有应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种陶瓷相硅氮层包覆硅负级材料、制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420912A
申请号 ：
CN202210078397.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高标邓佳果霍开富梅士雄付继江
申请人 ：
武汉科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市青山区和平大道947号
代理机构 ：
北京君有知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
焦丽雅
优先权 ：
CN202210078397.0
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/66 H01M10/0525
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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