背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法，其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上，采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场，即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列，降低界面复合损失等优点，通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略，有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题，提高了器件光伏性能，为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。
基本信息
专利标题 ：
背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520271A
申请号 ：
CN202210078428.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶加华王丽君胡小波江锦春陈少强杨平雄褚君浩
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路500号
代理机构 ：
上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐筱梅
优先权 ：
CN202210078428.2
主分类号 ：
H01L31/075
IPC分类号 ：
H01L31/075 H01L31/0445 H01L31/0336 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/075
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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