基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备，包括：栅极驱动器，多个GaNMOS管、多个第一铁氧体磁珠以及多个第二铁氧体磁珠；每个所述GaNMOS管的漏极均连接VCC，每个所述GaNMOS管的源极均连接GND，每个所述GaNMOS管的栅极均串联有一个第一铁氧体磁珠，每个所述第一铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的GDA端口，每个所述GaNMOS管的开尔文源极均串联有一个第二铁氧体磁珠，每个所述第二铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的SSA端口。本发明用体积较小的铁氧体磁珠作为高频抑制器、器件PCB对称布局、PCB功率回路和驱动回路分离、单点接地应用达到抑制栅极驱动回路振荡、抑制共模干扰的目的。
基本信息
专利标题 ：
基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465458A
申请号 ：
CN202210081722.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷彦陈普选
申请人 ：
北京绿能芯创电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
黄磊
优先权 ：
CN202210081722.9
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H02M1/44
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/088
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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