一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构
公开
摘要
本发明公开了一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，包括若干个MOS管，MOS管的源级、栅级依次相连堆叠成开关栈，开关栈连接高压信号Vin的一端为高阶，连接低压信号Vout的一端为低阶，射频信号从高阶输入，低阶输出，所述每个MOS管的漏极和源极之间并联接入阻抗元件，每个阻抗元件的阻抗值从低价开始向高价逐级递减。本发明设计了MOS管的源漏并联阻抗元件，每级源漏并联阻抗元件并不相同，源漏并联阻抗元件阻抗值大小与其所在阶数的位置关系有关。每级源漏并联阻抗元件大小呈递减关系。利用改变源漏并联阻抗元件来匹配栅极泄露电流，以平衡级间电压分布。
基本信息
专利标题 ：
一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114564902A
申请号 ：
CN202210085836.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜书剑王静波
申请人 ：
南京元络芯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区星火路17号研创园创智大厦B座601室
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
母秋松
优先权 ：
CN202210085836.0
主分类号 ：
G06F30/3308
IPC分类号 ：
G06F30/3308 H03K17/687
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/3308
使用模拟
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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