一种高端电平移位电路、高端功率控制电路及抗干扰方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及电子及微电子技术领域，公开了一种高端电平移位电路、高端功率控制电路及抗干扰方法。所述高端电平移位电路采用了交叉耦合的方式，包括互相交叉连接的第一耦合模块、第二耦合模块；并以电容作为负载。所述高端功率控制电路包括所述高端电平移位电路。因此所述高端电平移位电路、高端功率控制电路具有更强的抗干扰特性。所述抗干扰方法基于所述高端功率控制电路进行，其可防止高端电平移位电路将噪声信号误认为正常信号，使其以噪声信号本身向下级电路传递。从而防止了噪声信号对整个电路的干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种高端电平移位电路、高端功率控制电路及抗干扰方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114448417A
申请号 ：
CN202210091897.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭俊杰田瑶常昌远徐申叶佳玲孙祎轩
申请人 ：
苏州炬仁半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区竹园路209号3号楼1812
代理机构 ：
南京九致知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
齐棠
优先权 ：
CN202210091897.8
主分类号 ：
H03K19/003
IPC分类号 ：
H03K19/003 G05F1/66
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/003
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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