一种强下拉锁存结构电平转换电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种强下拉锁存结构电平转换电路，包括两极输入反相器、强下拉锁存电路和DLS输出反相器；所述强下拉锁存电路包括由四个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管构成的两部分结构，每一部分结构均包括一个RVT上拉PMOS晶体管、一个HVT中间上拉PMOS晶体管和一个LVT下拉NMOS晶体管，每一部分RVT上拉PMOS晶体管的栅极均连接于另一部分LVT下拉NMOS晶体管的漏极，构成强下拉锁存电路；两极输入反相器包括两个级联关系的反相器；DLS输出反相器作为输出反相器电路。本发明保证了先进工艺下超低内核电压转换为I/O电压的可靠性，而且具有电平转换范围广、转换速度快、可靠性高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种强下拉锁存结构电平转换电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114499497A
申请号 ：
CN202210092878.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴秀龙陈旋高珊卢文娟赵强郝礼才蔺智挺彭春雨陈军宁
申请人 ：
安徽大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
代理机构 ：
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立明
优先权 ：
CN202210092878.7
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185 H03K19/00 H03K19/003
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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