一种用于磷化铟晶体生产工艺中温场控制装置及方法
公开
摘要
本发明公开了一种用于磷化铟晶体生产工艺中温场控制装置及方法,包括反应炉体、温场控制组件以及冷热交换组件,所述反应炉体底部设置有旋转机构,所述旋转机构上配合连接有埚杆,所述埚杆的顶部固定连接坩埚,所述旋转机构能够带动所述坩埚旋转,所述坩埚的埚口处设置有导流盖,所述导流盖上端设置有籽晶杆,所述籽晶杆的底端贯穿所述导流盖与所述坩埚相连通,通过温场控制流道将反应炉体形成不同梯度的温场,通过温场间隔环将反应炉体分隔成高温熔融区与低温结晶区,高温熔融区用于熔解原料,低温结晶区用于晶体提拉生长,并且温场的温度逐步增加,使得制备单晶体结晶速度更快、生长周期短、成品率高。
基本信息
专利标题 :
一种用于磷化铟晶体生产工艺中温场控制装置及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114561691A
申请号 :
CN202210094550.9
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
潘功寰
申请人 :
苏州中砥半导体材料有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区珠江路900号5号楼101-1
代理机构 :
佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
耿鹏
优先权 :
CN202210094550.9
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14 C30B15/20 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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