一种多晶金修饰电极、制备方法及在检测As(III)中的应...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au(111)晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到PyA/CE；PyA/CE选择性通过Au(100)和Au(110)晶面吸附纳米金，保留其Au(111)晶面，得到AuNPs/PyA/CE；Au(111)晶面可诱导扩繁纳米金沿Au(111)晶面生长，生成多晶金修饰电极(Au(111)‑D/PyA/CE)。应用Au(111)‑D/PyA/CE阳极溶出伏安法检测As(III)时分析灵敏度高、稳定性好、抗干扰性强。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶金修饰电极、制备方法及在检测As(III)中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460158A
申请号 ：
CN202210096989.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖红波王文磊陈俊蓉叶梦华徐涛
申请人 ：
中南林业科技大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市韶山南路498号
代理机构 ：
长沙德权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丁茂林
优先权 ：
CN202210096989.5
主分类号 ：
G01N27/48
IPC分类号 ：
G01N27/48 G01N27/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
G01N27/416
系统
G01N27/48
用极谱法，即缓慢改变电压时测量电流的变化
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/48
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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