预埋牺牲层结构的谐振器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种预埋牺牲层的谐振器及其制备方法，包括：在衬底层的上表面形成凹槽，凹槽中填有牺牲层，牺牲层上表面有电极层，电极层之间及其周围由键合层填充，最上层是压电层。其中压电层通过键合技术和离子注入技术，转移至带图形化电极的衬底上，并采用其余适宜的半导体工艺进行制备。可缩小谐振器结构尺寸，稳定性能，提高谐振器结构的产率、稳定性与牢固性。
基本信息
专利标题 ：
预埋牺牲层结构的谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465596A
申请号 ：
CN202210097612.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙成亮卢亮宇刘文娟刘婕妤徐沁文谷曦宇蔡耀
申请人 ：
宁波华彰企业管理合伙企业（有限合伙）
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区梅山七星路88号1幢401室A区E2025
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
齐晨涵
优先权 ：
CN202210097612.1
主分类号 ：
H03H9/15
IPC分类号 ：
H03H9/15 H03H9/13 H03H3/02
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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