C波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种C波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构,涉及微波技术领域,单元结构包括第一介质基层、第二介质基层、第一介质基层与第二介质基层之间的空气层;第一介质基层靠近第二介质基层的一侧设置有两个十字型镂空金属贴片;第二介质基层远离第一介质基层的一侧设置有两个十字型镂空金属贴片,以及焊接在两个十字型镂空金属贴片上的电阻贴片。本发明公开的一种C波段吸透一体的频率选择表面单元结构以及依据所述单元结构构成的表面结构,能够提高反射频段的吸收效果,带内透射系数更好,且透波频带的带宽较宽,从而实现C波段带内宽带透波,带外通过加载电阻获得更高的吸收率。
基本信息
专利标题 :
C波段吸透一体的频率选择表面单元结构及表面结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114421172A
申请号 :
CN202210116382.9
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-02-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
裴志诚王佳仪蔡通王雪丁郑斌陈红胜
申请人 :
浙江海珀微波科技有限公司;浙江大学
申请人地址 :
浙江省余姚市马渚镇马漕头村汤家闸路8号
代理机构 :
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
韩迎之
优先权 :
CN202210116382.9
主分类号 :
H01Q15/00
IPC分类号 :
H01Q15/00
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 15/00
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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