一种腐蚀药液喷撒装置及提高晶片药液腐蚀均匀性的方法
公开
摘要
本发明提供一种腐蚀药液喷撒装置及提高晶片药液腐蚀均匀性的方法。装置，包括机台控制系统，所述机台控制系统分别连接片盒模块、机器人模块、多个腐蚀模块和化学品供应模块。提高晶片药液腐蚀均匀性的方法包括：将药液储罐内的腐蚀药液加热到设定温度和设定时间，并通过机器人模块将晶片一一传输到每个腐蚀模块的水平吸盘上；启动转动电机，并启动该喷嘴进行预腐蚀作业；将转动电机的转速减速，启动该喷嘴进行第二次腐蚀作业，使药液铺满整个晶片；停止该喷嘴，保持转动电机10rpm～50rpm的转速，继续腐蚀10～20分钟；腐蚀完毕后，启动装载水的喷嘴进行喷水作业；将前述步骤重复2～3次；将前述过程产生的腐蚀废液和水洗液收集后引入药液处理平台处理。
基本信息
专利标题 ：
一种腐蚀药液喷撒装置及提高晶片药液腐蚀均匀性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582754A
申请号 ：
CN202210137021.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强
申请人 ：
广州市众拓光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室
代理机构 ：
广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何雪霞
优先权 ：
CN202210137021.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306 H01L21/311 H01L21/3213 H01L21/465
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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