一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器
实质审查的生效
摘要
该发明公开了一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器,涉及微波射频电路技术领域。采用两极HEMT电路放大,两级的偏置电路都采用了电阻分压,两级偏置电路都引入了扼流电感和旁路电容,可以防止射频信号进入直流通路,具有更好的抗干扰性能,并且加入了两级HEMT栅极的稳定电路,使得整体放大器电路的稳定系数Stabfact远大于1,电路的稳定性较好,输入匹配部分遵循最小噪声系数匹配原则,输出部分遵循最大传输功率匹配原则进行匹配,使得整体两级低噪声放大器电路的增益Gain>28dB,使得噪声系数NF<1.5,输入电压驻波比VSWR1<2.0,输出电压驻波比VSWR2<2.0,对信号的增益较大且干扰较小,同时增益平坦稳定性好,匹配性好。
基本信息
专利标题 :
一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114513171A
申请号 :
CN202210138282.6
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-02-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王丽任茂仁蒋豪罗攀达
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
陈一鑫
优先权 :
CN202210138282.6
主分类号 :
H03F1/26
IPC分类号 :
H03F1/26 H03F1/30 H03F1/56 H03F3/19
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/26
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载