一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器
实质审查的生效
摘要
该发明公开了一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器，涉及微波射频电路技术领域。采用两极HEMT电路放大，两级的偏置电路都采用了电阻分压，两级偏置电路都引入了扼流电感和旁路电容，可以防止射频信号进入直流通路，具有更好的抗干扰性能，并且加入了两级HEMT栅极的稳定电路，使得整体放大器电路的稳定系数Stabfact远大于1，电路的稳定性较好，输入匹配部分遵循最小噪声系数匹配原则，输出部分遵循最大传输功率匹配原则进行匹配，使得整体两级低噪声放大器电路的增益Gain>28dB，使得噪声系数NF<1.5，输入电压驻波比VSWR1<2.0，输出电压驻波比VSWR2<2.0，对信号的增益较大且干扰较小，同时增益平坦稳定性好，匹配性好。
基本信息
专利标题 ：
一种基于HEMT的S波段的低噪声放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114513171A
申请号 ：
CN202210138282.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王丽任茂仁蒋豪罗攀达
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
陈一鑫
优先权 ：
CN202210138282.6
主分类号 ：
H03F1/26
IPC分类号 ：
H03F1/26 H03F1/30 H03F1/56 H03F3/19
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/26
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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