一种最优读电压确定方法、装置及电子设备
公开
摘要

本申请实施例提供了一种最优读电压确定方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和第一最优读电压的第一电压值、以及存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布,第一电压值通过在存储块的阈值电压分布中搜索得到;根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布,预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。应用本申请实施例提供的方案,能够通过预测确定最优读电压,有效减少确定最优读电压过程中所需进行的电压搜索操作、读操作的次数,提高最优读电压确定效率。

基本信息
专利标题 :
一种最优读电压确定方法、装置及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114566201A
申请号 :
CN202210141259.2
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-02-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘璨霍文捷万婷冯星
申请人 :
杭州海康存储科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市滨江区丹枫路399号2号楼B楼307室
代理机构 :
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
丁芸
优先权 :
CN202210141259.2
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26  G11C16/04  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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