一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明属于电子封装材料技术领域,具体涉及一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法。本发明提供的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法包括如下步骤:将铝基合金至于SiC颗粒上方,加热至铝基合金融化后,在保温条件下进行超重力场熔渗,得到复合材料;所述超重力场熔渗的温度为800℃以下;将所述复合材料的缩孔区域切除,得到碳化硅增强铝基复合材料。本发明提供的制备方法不仅可以在较低温度下完成熔渗,而且可以快速熔渗,制备得到的复合材料的抗弯强度、导热性和热膨胀系数等各项性能能够很好地满足电子封装材料的要求。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114480942A
申请号 :
CN202210143664.8
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴传栋鲁越辉甘章华沈帅谢天赋刘静
申请人 :
武汉科技大学
申请人地址 :
湖北省武汉市和平大道947号
代理机构 :
北京高沃律师事务所
代理人 :
马丛
优先权 :
CN202210143664.8
主分类号 :
C22C32/00
IPC分类号 :
C22C32/00  C22C21/00  C22C1/10  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C22
冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C32/00
含有至少5重量但小于50重量的,无论是本身加入的还是原位形成的氧化物、碳化物、硼化物、氮化物、硅化物或其他金属化合物的有色金属合金
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22C 32/00
申请日 : 20220217
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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