一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路；本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件，在标准CMOS工艺下即可实现，且电路结构简单，衬底电位生成子电路会产生PMOS管的衬底电位，在电源掉电情况下可有效降低输出端出现高电位时的电流倒灌，可以实现其漏电流低于1uA指标。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498572A
申请号 ：
CN202210147343.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高晓平谢明玲王向谦员朝鑫韩根亮
申请人 ：
甘肃省科学院传感技术研究所
申请人地址 ：
甘肃省兰州市定西南路229号
代理机构 ：
西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈选中
优先权 ：
CN202210147343.5
主分类号 ：
H02H7/20
IPC分类号 ：
H02H7/20 H02H3/02
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02H 7/20
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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