微型发光二极管及微型发光二极管显示面板
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种微型发光二极管及微型发光二极管显示面板。微型发光二极管包括磊晶结构以及绝缘层。磊晶结构包括第一型半导体层、发光层及第二型半导体层,且具有第一离子布植区。第一型半导体层的表面至发光层邻近表面的顶面之间具有第一距离。第一型半导体层的表面至第一离子布植区的第一底侧之间具有第二距离。第二距离大于第一距离且小于平台的高度。第一离子布植区的第一内侧的第一延伸方向与发光层的法向方向之间具有绝对值介于0至15度之间的第一夹角。绝缘层覆盖第一型半导体层的周围与部分表面、发光层的周围以及部分第二型半导体层的周围。本发明的微型发光二极管,可提升外部量子效率(EQE),且具有较佳的发光效率。

基本信息
专利标题 :
微型发光二极管及微型发光二极管显示面板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114520280A
申请号 :
CN202210147918.3
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗玉云吴柏威蔡昌峯梁师尧
申请人 :
錼创显示科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹科学园区苗栗县竹南镇科中路13号8楼
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
王潇
优先权 :
CN202210147918.3
主分类号 :
H01L33/20
IPC分类号 :
H01L33/20  H01L33/02  G09F9/33  
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20220217
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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