多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法，涉及GaN器件驱动技术领域，包括：驱动电源Vcc1、N型MOSFET Q1和P型MOSFET Q2串联而成的推挽电路、电阻R3和二极管D1串联而成的充放电回路；其中电源Vcc2、电阻R6串联为三极管上拉电路，构成二级电流补充电路，比较器Z1构成用于拓展电路的比较器电路；充放电回路用于提供可靠关断和常规电流，不仅能够保证氮化镓器件的开通关断速度，而且避免了电压尖峰的产生，抑制了关断时的电压振荡；比较器电路为电路的拓展留下了更多的可能性，结合数字控制电路可以根据需求调整二级电流补充电路的数量，继而改变电路的驱动能力，提供稳定驱动电压，保证GaN HEMT器件可靠的运行。
基本信息
专利标题 ：
多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114499475A
申请号 ：
CN202210152039.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严志尚胡存刚曹文平孙路刘威
申请人 ：
合肥安赛思半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市中国(安徽)自由贸易试验区合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-1701
代理机构 ：
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘汪丹
优先权 ：
CN202210152039.X
主分类号 ：
H03K17/042
IPC分类号 ：
H03K17/042 H03K17/687
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/042
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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