一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法。本发明在硅酸钙微波介质陶瓷中掺杂铜离子，通过控制合适的铜离子掺杂量，能够抑制煅烧粉中杂相的产生，获得纯相的α‑CaSiO3粉体(三斜晶系，空间群为C1)，进而通过烧结得到单相的β‑CaSiO3陶瓷(单斜晶系，空间群为P21/a)，所得铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷的致密度高、微波介电性能优异，具有较高的品质常数和较低的介电常数。另外，本发明通过掺杂铜离子，拓宽了陶瓷的烧结温度范围，传统的固相合成法烧结温度为1300℃以上，而本发明提供的制备方法烧结温度仅为1050℃以上，能够实现低温共烧，有利于实际生产。
基本信息
专利标题 ：
一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114349493A
申请号 ：
CN202210154548.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾一明王刚李明伟韩娇林泽辉何佳麒李梦虹
申请人 ：
昆明贵研新材料科技有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市高新技术产业开发区科技路988号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
王苗苗
优先权 ：
CN202210154548.6
主分类号 ：
C04B35/22
IPC分类号 ：
C04B35/22 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/16
以黏土之外的硅酸盐为基料的
C04B35/22
高氧化钙的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/22
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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