一种光寻址-突触型神经递质传感器
公开
摘要
本发明提供了一种光寻址‑突触(光突触)型神经递质传感器的结构设计及制备方法，该光突触型神经递质传感器主要包含突触区和光控神经递质敏感区两部分。其中突触区包括底电极层、在底电极层上形成的神经仿生层、在神经仿生层上形成的顶电极层；光控神经递质敏感区与突触区相邻，该区域包括光闸层，在光闸层表面修饰的神经递质受体蛋白，滴加在该区域的电解质溶液以及悬浮于其中的铂电极。该发明采用全液相剥离、旋涂和微电子打印技术制备，是一种低成本、高通量的新型神经形态生化传感器件，将为人工突触器件在脑科学以及仿生视觉传感系统领域的发展注入新的活力。
基本信息
专利标题 ：
一种光寻址-突触型神经递质传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114518391A
申请号 ：
CN202210159536.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王开洋任书卉贾芸芳
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市海河教育园区同砚路38号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210159536.2
主分类号 ：
G01N27/26
IPC分类号 ：
G01N27/26 G01N27/327 B82Y15/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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