一种微波材料损耗角正切tanδ测试方法
公开
摘要
本发明公开了一种微波材料损耗角正切tanδ测试方法。该方法采用高低温介电性能测试系统对测试样品的损耗角正切tanδ进行测试；一、将第一金属接地板、测试样品、谐振导带、第二金属接地板依次放入样品夹具内，二、然后将装配好的样品夹具整体放入带状线谐振腔体中，三、介电常数、损耗因子测量，四、介电常数计算，五、损耗因子计算。采用本发明进行损耗角正切tanδ测试，当损耗角正切tanδ≤0.0020时，不确定度≤0.0003，当损耗角正切tanδ＞0.0020时，不确定度≤10%tanδ+0.0003。提高了方法的实用性，指导性更强，实现了厚度较薄的测试样品损耗角正切tanδ的准确测试。
基本信息
专利标题 ：
一种微波材料损耗角正切tanδ测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578140A
申请号 ：
CN202210164209.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董彦辉刘国龙赵志鹏史留学李继爽于艺杰
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
王凤英
优先权 ：
CN202210164209.6
主分类号 ：
G01R27/26
IPC分类号 ：
G01R27/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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