半导体器件
公开
摘要
本公开提供了半导体器件。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628436A
申请号 ：
CN202210171597.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2017-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
成东俊朴淳五
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN202210171597.0
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L21/82
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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