一种低嵌段共聚物含量的聚砜共混膜及其制备方法
公开
摘要
本发明采用低含量的PSf‑b‑PEG作为双亲嵌段共聚物辅以高含量的低分子PEG与聚砜成膜材料共混，并利用热交联实现将PSf‑b‑PEG中的PEG链段与低分子量PEG热交联，从而实现提升聚砜共混膜的高亲水性，并降低膜的制备成本。而未交联的低分子量PGE和后续添加的高分子量PEG作为致孔剂使用，可以通过调控高分子量PEG的量调控膜的孔隙率。
基本信息
专利标题 ：
一种低嵌段共聚物含量的聚砜共混膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114558459A
申请号 ：
CN202210172324.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闻海萌李胜兰徐业龙周兰凤
申请人 ：
泰州南潇新材料科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市高港高新区兴国路8号7-3-B-83
代理机构 ：
南京禾祁专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟捷
优先权 ：
CN202210172324.8
主分类号 ：
B01D67/00
IPC分类号 ：
B01D67/00 B01D71/68 C02F1/44 B01D53/22 B01D46/54
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01D67/00
专门适用于分离工艺或设备的半透膜的制备方法
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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