一种超低功耗非共地双向数据隔离电路
授权
摘要
本发明公开了一种超低功耗非共地双向数据隔离电路，低电平芯片的电平转换电路包括第二三极管Q26、第四场效应晶体管Q27和第二二极管D107；高电平芯片的电平转换电路包括第一三极管Q69、第一场效应晶体管Q66和第一二极管D106；第二场效应晶体管Q68，设于低电平芯片的电平转换电路和高电平芯片的电平转换电路之间，用于将低压电平传输给高电平芯片，实现低电平芯片的电平转换电路和高电平芯片的电平转换电路之间的隔离与双向通讯。本发明应用使用成本较低；利用超低功耗双向数据高压隔离电路有效的降低BMS工作时功耗；利用超低功耗双向数据高压隔离电路可有效的避免因为高串的AFE和低串的AFE功耗不同。
基本信息
专利标题 ：
一种超低功耗非共地双向数据隔离电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114244346A
申请号 ：
CN202210174198.X
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
CN114244346B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
饶华兵许正杰聂建波王阿明
申请人 ：
南京模砾半导体有限责任公司
申请人地址 ：
江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2638室
代理机构 ：
南京鑫之航知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚兰兰
优先权 ：
CN202210174198.X
主分类号 ：
H03K19/0175
IPC分类号 ：
H03K19/0175 H02J7/00
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0175
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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